硅晶圆切割是半导体芯片封装的常用加工工艺。激光切割的关键指标要求是高速和窄切割线。高频、高能量的红外脉冲光纤激光适用于这样的应用。

晶圆的厚度一般不超过250um，激光切割深度一般为晶圆厚度的1/3。

裂片通常是激光切割后的标准必要步骤。